R6509KND3TL1-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:6.8A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:460mR 參數4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具備650V的漏源電壓（VDSS）和6.8A的連續漏極電流（ID），導通電阻低至460mΩ，適用于高效率功率轉換設計。其柵源電壓范圍為-4V至!8V，具備良好的開關特性與熱穩定性。基于碳化硅材料的特性，器件支持高頻工作，有效降低開關損耗，適用于高密度電源系統，如高效開關電源、DC-DC轉換模塊及高功率密度適配器等場景，可提升系統整體能效與可靠性。
