SIHA15N65E-GE3-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道碳化硅場效應管具備650V的漏源耐壓（VDSS）和20A的連續漏極電流（ID）能力，導通電阻為160mΩ，在高頻開關條件下仍能保持較低的導通損耗。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持穩定可靠的柵極驅動控制。得益于碳化硅材料的高臨界電場強度與高熱導率特性，該器件具有優異的高溫工作性能和快速開關響應，適用于高效率AC-DC電源、大功率DC-DC變換器及光伏逆變模塊等場景，有助于提升系統功率密度并降低整體能耗。
