HSGL160N60UFDTU_TO-264_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-264 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：24/管裝 參數1：電流IC:160A 參數2：電壓VCE:600V 參數3：VCE(Sat):1.4V 參數4：二極管正向電流:1.4A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款IGBT（絕緣柵雙極晶體管）具有600V的集射極擊穿電壓(VCES)，可在高達160A的集電極電流(Ic)下工作，最大功率(Pd)為250W。其柵極閾值電壓(Vge(th))在15V、80A條件下僅為2.6V，確保了低驅動損耗和快速開關性能。適用于高性能電源管理、電機控制以及其他需要高電壓和大電流處理能力的應用場合。
