RGS80TSX2GC11-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:40A 參數2：電壓VCE:1200V 參數3：VCE(Sat):1.7V 參數4：二極管正向電流:1.85A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款IGBT管/模塊具備40A的集電極電流（Ic）和1200V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于中高功率電力電子系統。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.7V，能有效降低導通損耗，提升整體能效。內置二極管可承受40A的正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.85V，表現出良好的電流承載與熱穩定性。該器件適合應用于電源變換、電機驅動、智能電網及儲能系統等場景，滿足復雜電路對高效開關性能與可靠運行的嚴苛要求。
