HCG65200DBA_DFN5X6E-8L_氮化鎵晶體管(GaN HEMT)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6E-8L 類別：氮化鎵晶體管(GaN HEMT) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:10A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款氮化鎵晶體管為N型，電流10A，電壓650V。適用于各類電子產品，在高電壓下能穩定承載一定電流。具有高效、低發熱等特性，可提升電子產品的性能和可靠性，滿足特定功率需求場景下的電路設計要求。
