HXY50N20P_TO-220C_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：電流ID:50A 參數2：電壓VDSS:200V 參數3：RDON:50mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
【HXY50N20P 場效應管(MOSFET)】采用TO-220C封裝，支持50A的最大漏極電流和200V的漏源電壓，導通電阻為50mΩ。此N溝道MOSFET在20V柵源電壓下具有出色的開關性能和低損耗特性，廣泛適用于電源轉換、電路控制等應用，確保高效能與高可靠性。
