4N50_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:4A 參數2：電壓VDSS:500V 參數3：RDON:2400mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
【4N50 場效應管(MOSFET)】采用TO-252-2L封裝，具備4A的最大漏極電流和500V的漏源耐壓，低至2.4mΩ的導通電阻確保了高效能表現。該N溝道MOSFET在30V柵源驅動電壓下展現優異的開關速度與穩定性，適用于多種電路保護和電源轉換應用，是精密電子項目中的理想選擇。
