HXYJ11N65D_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:22A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:380mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
【HXYJ11N65D 場效應管(MOSFET)】采用TO-252-2L封裝，支持22A的最大漏極電流和650V的漏源電壓，導通電阻為380mΩ。此N溝道MOSFET在30V柵源電壓下具有優良的開關性能和耐高壓特性，適用于各種高效率電源轉換和電路控制應用，確保電路運行的穩定性和可靠性。
