HC3M0021120D_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:81A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:21mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款碳化硅場效應管（MOSFET），型號ID為81A，具備1200伏特的最大漏源電壓（VDSS），能夠在高壓環境下穩定工作。其N溝道設計允許電流從漏極流向源極，適用于需要高效能轉換的應用。此MOSFET的導通電阻（RDON）僅為21毫歐姆，在導通狀態下損耗低，有助于提高系統效率。適用于要求嚴苛的電源管理領域，如高性能電源轉換器、太陽能逆變器以及其他需要高頻率操作和低熱耗散的設計中。
