IMW120R030M1H_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:63A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:32mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款碳化硅場效應管（MOSFET）具有63A的連續排水電流（ID），可在高達1200V的最大漏源電壓（VDSS）下工作。其導通電阻（RDSON）僅為32毫歐，表明在導通狀態下損耗較小。該MOSFET設計為N溝道類型，并且具備15V的柵源電壓（VGS）閾值以確保有效開啟或關閉。此元件適用于需要高效率與高壓操作的應用中，如高性能電源轉換系統及便攜式電子設備的電源管理模塊。
