IMZ120R090M1HXKSA1_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:32A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:75mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道碳化硅場效應管(MOSFET)專為高性能需求設計，最大漏極電流可達32A，支持1200V的漏源電壓，適用于高電壓環境。其導通電阻為75mΩ，有助于減少功耗并提高效率。柵源電壓為15V，確保了良好的驅動特性。此MOSFET適合應用于要求高效能與緊湊尺寸相結合的領域，如高端電源解決方案或需要在嚴苛條件下保持可靠性的電力轉換系統中。
