IMW120R014M1HXKSA1_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:115A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:16mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道碳化硅場效應管（MOSFET）具有115A的連續電流承載能力（ID/A），并且能夠承受最高1200V的漏源電壓（VDSS/V）。其導通電阻（RDSON/mΩ）低至16毫歐，有助于降低系統功耗。柵源電壓（VGS/V）為15V，確保了精確的開關控制。該MOSFET適用于需要高功率密度和高效能轉換的應用場合，能夠在高壓環境下提供穩定的電流控制功能。
