G3R75MT12K_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:36A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:80mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道碳化硅場效應管（MOSFET）擁有36A的連續電流ID/A，適用于多種電力轉換設計。其額定漏源電壓VDSS/V為1200V，適合用于高電壓環境中。導通電阻RDON為80毫歐，有助于減少能耗。柵源電壓VGS/V的絕對值可達20V，保證了良好的驅動兼容性和穩定性。此款MOSFET適用于高性能的開關電源、不間斷電源系統以及電力調節模塊等場合，提供高效且可靠的解決方案。
