IMW120R090M1H_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:32A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:75mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該款碳化硅場效應管（MOSFET）為N溝道設計，其最大工作電流（ID/A）可達32A，適用于多種電子電路中的電流控制。器件擁有1200V的最大漏源電壓（VDSS/V），適用于需要高耐壓的應用場景。導通狀態下，其漏源電阻（RDSON/mR）為75毫歐，有效降低了導通時的功耗。柵源電壓（VGS/V）為±15V，便于實現精確的驅動控制。此MOSFET適用于構建高效的開關電源轉換器和其他注重高性能與可靠性的電子產品。
