RRH090P03GZETB_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:12A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:10mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道MOSFET具備12A的漏極電流（ID/A），最高工作電壓（VDSS）為30V，導通狀態下漏源之間的電阻（RDSON）低至10毫歐，有助于減少能量損失。其柵源電壓（VGS）額定值為±20V，便于電路設計中的精確控制。該MOSFET適合應用于要求高效轉換與穩定性的電子產品中，例如日常家用電器內的電源管理系統或智能設備中的負載開關電路。
