FDMC6675BZ_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:32A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:10mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道MOSFET具備32A的額定漏極電流（ID），能夠承受高達30V的漏源電壓（VDSS）。其導通電阻僅為10mΩ，確保了較低的功耗和較高的效率。該器件支持最大25V的柵源電壓（VGS），適用于多種電子設備中需要高電流承載能力和快速開關速度的場合，如消費電子產品中的電源控制、信號轉換等領域。憑借優秀的電氣特性，它是實現緊湊且高效設計的理想選擇。
