RD3L01BATTL1_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:20A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:64mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道MOSFET具備20A的漏極電流承載能力和60V的漏源電壓耐受度，適用于多種電子設備中。其導通電阻僅為64mΩ，有助于降低系統能耗，提高工作效率。最大柵源電壓為20V，保證了良好的驅動兼容性和穩定性。該產品適合應用于電源控制、信號處理等領域，是實現高效電路設計的理想選擇。
