NTR4003NT1G_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:2.3A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:120mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道MOSFET具有2.3A的漏極電流能力和20V的最大漏源電壓，適用于多種電子電路設計。其導通電阻僅為120毫歐姆，有助于減少功耗并提高效率。柵源電壓范圍為12V，確保了可靠的開關控制。該場效應管適合于電源管理、信號處理等應用場景，在要求緊湊尺寸與高性能表現的消費電子產品中尤為適用。
