DMN10H100SK3-13_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:20A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:80mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）設計用于高效能的電子電路中，提供20安培的最大連續漏極電流（ID）和100伏的漏源擊穿電壓（VDSS），確保了在高壓環境下的穩定工作性能。其導通電阻（RDS(on)）為80毫歐，在20伏的柵源電壓（VGS）條件下，有助于減少傳導損耗并提升效率。該元件適用于各種需要快速開關和低損耗特性的應用場合，例如電源適配器、電池充電管理系統以及便攜式電子產品內的電源轉換模塊，支持實現緊湊且高效的電路設計。
