NVTFS5C478NLTAG_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:40A 參數2：電壓VDSS:40V 參數3：RDON:6.9mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）擁有40安培的最大連續漏極電流（ID）和40伏的最大漏源電壓（VDSS），適用于多種高要求的電子應用。它具備6.9毫歐的低導通電阻（RDON），能夠在大電流條件下減少能量損失，提高系統效率。支持20伏的柵源電壓（VGS），保證了廣泛的適用性和靈活性。這款MOSFET是構建高效電源管理系統、實現精準信號調節和優化電路性能的理想選擇。
