AP6679BGH_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:80A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:6.5mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道MOSFET具備80A的連續漏極電流能力和30V的最大漏源電壓承受能力，其導通電阻僅為6.5mΩ，在20V柵源電壓下表現出色。該場效應管適用于要求高效能和低損耗的電路設計中，如電源管理、電池保護及開關控制等應用領域。其優秀的電氣特性確保了在高電流和高壓條件下穩定可靠的工作表現。
