PPMT12V4_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:5A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:35mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道場效應管（MOSFET）具有5A的最大連續漏極電流和20V的漏源擊穿電壓，其導通電阻為35mΩ，確保了在低功耗下的高效運行。該MOSFET的柵源電壓閾值為12V，適用于需要精確控制和快速響應的電路中，如電源切換、邏輯電平轉換等領域。其小巧的設計和優異的電氣性能，使其成為各種電子項目中的理想選擇。
