SM3337PSQGC-TRG_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:25A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:16mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款P溝道MOSFET場效應管具有25A的最大連續漏極電流（ID/A）和30V的最大漏源極電壓（VDSS/V），適用于要求較高電流承載能力的電路設計。其低至16毫歐（RDON/mR）的導通電阻，有助于減少發熱，提高系統效率。該MOSFET支持±20V的柵源極電壓（VGS/V），提供了良好的操作靈活性和穩定性。它適合應用于電源管理、信號放大及各類電子設備中的開關控制，是實現高效能與可靠性的理想選擇。
