AP3N2R8AMT_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:150A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:2mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款N溝道場效應管（MOSFET）具有150A的最大連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS）。其極低的導通電阻（RDS(on)）僅為2mΩ，在20V的柵源電壓（VGS）條件下工作時，能顯著減少功率損耗，提高系統效率。適用于需要高效能、低熱耗散的電路設計，如電源轉換、電池保護及各類電子裝置中的快速開關應用。其出色的電氣性能和穩定性，確保了在復雜電子環境下的可靠運行。
