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HSCT20N120AG_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數1:電流ID:18A 參數2:電壓VDSS:1200V 參數3:RDON:160mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢

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產品介紹

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這款N溝道碳化硅場效應管(MOSFET)支持最高18A的連續漏極電流與1200V的漏源電壓,具有160毫歐姆的低導通電阻,能夠有效降低能耗并提升效率。其柵源電壓為20V,適用于需要在高壓環境下實現高效能轉換的應用場景。憑借優秀的電氣特性和穩定性,該MOSFET非常適合對性能有嚴格要求的電源管理和轉換系統使用。

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