HIMW120R220M1H_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:17A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:160mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款碳化硅場效應管（MOSFET）具有N溝道結構，其連續導通電流（ID/A）為17A，能夠承受高達1200V（VDSS/V）的電壓。器件的導通電阻（RDSON/mR）為160毫歐，確保了在高電壓應用中的高效性能。該管子的柵源電壓（VGS/V）操作范圍是-4V至!8V，增強了其在不同電路設計中的適應性。適合用于需要高電壓隔離與快速開關特性的場合，如高頻逆變器、電信設備的電源管理及便攜式電子設備充電解決方案等。
