HSTL110N10F7_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:75A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:7.3mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具有75A的連續漏極電流（ID/A），適用于要求較高的電流應用場合。其最大工作電壓（VDSS/V）為100V，能夠承受較高電壓環境下的工作需求。導通電阻（RDSON/mR）僅為7.3毫歐，這意味著在導通狀態下其自身損耗較小，效率更高。柵源電壓（VGS/V）的最大值為20V，確保了有效的開關操作。此MOSFET適合用于需要高效能和可靠性的電路設計中，如電源管理、便攜式設備的電源開關等應用場景。
