HSTD30PF03LT4_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:40A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:18mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該P溝道場效應管（MOSFET）具有40A的持續漏極電流能力，能夠承受高達30V的漏源電壓。其導通電阻僅為18mΩ，有助于降低系統功耗。柵源電壓范圍為20V，確保了良好的開關特性與穩定性。適用于需要高效能、低損耗開關或線性應用的電路設計中，例如消費電子產品中的電源管理模塊，以及便攜式設備里的電池充電控制等場景。
