HTK11S10N1L_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:30A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:35mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款N溝道場效應管（MOSFET）具備30安培的最大連續漏極電流和100伏特的漏源擊穿電壓，確保了其在高功率應用中的穩定性能。其導通電阻僅為35毫歐，在大電流通過時能夠保持較低的發熱水平，提高了效率和可靠性。該MOSFET的柵極閾值電壓為20伏特，適用于需要快速開關響應的應用場合。此元件廣泛適用于電源管理、信號放大及各類電子設備中，是設計高性能電路的理想選擇。
