HIRFZ48SPBF_TO-263_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數1：電流ID:49A 參數2：電壓VDSS:55V 參數3：RDON:9mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道MOSFET具備49A的連續漏極電流（ID）承載能力，以及55V的最大漏源耐壓（VDSS），適用于高功率密度的設計需求。其低至9毫歐的導通電阻（RDSON）有效降低了導通狀態下的功耗，優化了電路效率。柵源電壓（VGS）最高可達20V，提供了靈活的驅動條件。該MOSFET適合用于高性能要求的開關電源、DC/DC轉換器以及其他對效率敏感的應用中，能夠幫助實現更緊湊、高效的電子設計方案。
