HFDD050N03B_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:100A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:3.8mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款N溝道場效應管（MOSFET）提供100A的最大連續漏極電流，可承受30V的最大漏源電壓，適合于需要高電流密度的應用場景。其導通電阻低至3.8毫歐，有助于減少工作時的熱損失，提高能源效率。該MOSFET的柵源電壓范圍為±20V，確保了與多種驅動電路的良好兼容性。它適用于電源供應、電池管理和信號放大等多種電路設計中，是實現高效能、低損耗操作的理想選擇。
