HSQD23N0631LT4GE3_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:20A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:27mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該款N溝道場效應管（MOSFET）具備20A的連續電流承載能力，最大可承受的漏源電壓（VDSS）為60V。其導通電阻（RDSON）僅為27毫歐，在同類產品中表現出較低的導通損耗特性，有助于提高電路效率并減少熱量產生。工作柵源電壓（VGS）的最大值為20V，確保了可靠的開關性能。此MOSFET適用于要求高效能和低熱耗的應用環境，如消費電子產品中的電源管理、便攜式設備的電池保護以及通用型開關電源設計中。
