HIRFZ44NSTRLPBF_TO-263_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數1：電流ID:49A 參數2：電壓VDSS:55V 參數3：RDON:9mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具備49A的連續排水電流（ID/A），能夠承受高達55V的漏源電壓（VDSS/V）。其導通電阻（RDSON）僅為9毫歐（mΩ），有助于降低功耗，在高負載條件下依然保持高效能。該器件支持最大±20V的柵源電壓（VGS/V），增強了操作靈活性。適用于消費電子產品中的電源轉換與管理，以及便攜設備中的負載開關等功能。
