HDMN10H100SK313_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:20A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:80mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具備20A的最大連續漏極電流（ID）和100V的漏源擊穿電壓（VDSS），適用于要求高可靠性和大電流承載能力的電路設計。其導通電阻（RDS(on)）僅為80毫歐，有助于減少能耗并提高效率。該器件支持最高20V的柵源電壓（VGS），保證了在各種工作條件下的穩定性能。此MOSFET特別適合用于電源管理、電機驅動以及信號放大等領域，能夠提供出色的開關特性和負載控制能力。
