SQD50034E_GE3-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:130A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:3mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有優異的電性能和穩定性，適用于多種高效能場景。其主要參數包括：漏極電流ID為130A，漏源電壓VDSS為60V，導通電阻RDON低至3mΩ，柵源電壓VGS為20V。低導通電阻有效降低功耗并提升效率，同時高電流與高電壓耐受能力確保其在復雜環境中的可靠性表現。該器件廣泛應用于電源管理、高效能轉換器及負載開關等電路設計中，滿足對小型化與高性能有要求的電路架構需求。
