GAN041-650WSBQ-HXY_TO-247_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:49A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:33mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本N溝道場效應管（MOSFET）具有高性能開關與導通能力，適用于多種高功率電子系統。其漏源電壓（VDSS）為650V，支持高壓環境下的穩定運行；最大漏極電流（ID）可達49A，滿足較大功率輸出需求。導通電阻（RDON）低至33mΩ，有助于降低能耗并提升效率。器件適用于各類電源變換裝置、高效能電機驅動、儲能管理系統及高頻電子設備中的開關控制電路，提供可靠且高效的性能表現。
