FCMT125N65S3-HXY_DFN8X8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:17A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:100mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有650V漏源電壓（VDSS）和17A連續漏極電流（ID）能力，適用于中高功率電源轉換場景。導通電阻（RDON）為100mΩ，有助于降低導通損耗，提升系統效率。器件結構穩定，具備良好的熱性能與可靠性，適合用于開關電源、DC-DC轉換器、LED驅動電路、電機控制模塊以及其他中高壓電子設備中，滿足多種應用場景下的性能需求。
