NTH4LN067N65S3H-HXY_TO-247H-4L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:29A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:60mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為650V N溝道增強型場效應晶體管（MOSFET），具備良好的導通特性和開關性能。其最大漏極電流ID為29A，導通電阻RDON低至60mΩ，有助于降低導通損耗，提高系統能效。器件采用成熟半導體工藝制造，具備較高的耐用性和穩定性，適用于多種高性能電源轉換場景，如高效節能電源、智能電網設備及可再生能源系統中的功率控制單元。
