DMWS120H100SM4-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:32A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:75mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為1200V碳化硅N溝道場效應晶體管（MOSFET），具有優異的導電能力和高效的開關特性。其額定漏極電流ID為32A，導通電阻RDON低至75mΩ，能夠有效降低功率損耗并提升系統效率。碳化硅材料賦予器件高擊穿電壓與良好的高溫工作性能，適用于高頻、高壓電源轉換場合，如新能源發電、儲能設備及智能電力系統中的關鍵開關單元。
