SIHG44N65EF-GE3-HXY_TO-247_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:29A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:60mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
本N溝道增強型場效應管（MOSFET）具有650V漏源電壓（VDSS）、29A最大連續漏極電流（ID）及60mΩ低導通電阻（RDON），支持高功率密度與高效率電路設計。器件具備優異的開關性能和熱穩定性，適用于電源適配器、儲能系統、智能家電以及電機驅動等各類高性能電子設備中的功率控制應用，可滿足高頻、高壓工作環境的技術需求。
