ISC0702NLSATMA1-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:125A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:2.4mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具備高性能與高耐用性，適用于多種電子設備中的功率控制場景。其主要參數包括：最大漏極電流ID為125A，漏源電壓VDSS為60V，導通電阻RDON低至2.4mΩ，能夠有效減少導通損耗，提高系統整體效率。器件采用成熟穩定的制造工藝，具備良好的熱管理特性和開關響應速度，適合應用于高效電源轉換、電機驅動、電池管理系統及高密度功率模塊等場合。
