DMG1016UDW-7-HXY_SOT-363_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-363 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:0.8A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:320mR 參數4：溝道類型:N+P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款NP溝道場效應管（MOSFET）采用復合溝道設計，適用于多種中低功率電子應用。其參數包括：漏極電流ID為0.8A，漏源電壓VDSS為20V，導通電阻RDON為320mΩ，具備良好的開關特性和電流控制能力。該器件適合用于便攜式設備、電池管理系統、信號切換電路及各類消費類電子產品中的電源管理與功率調節單元，支持高效能與小型化設計需求。
