CWDM3011P-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:11A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:13mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
本P溝道場效應管（MOSFET）具有30V漏源電壓（VDSS）和11A連續漏極電流（ID）能力，適用于中等功率開關應用。其導通電阻（RDON）低至13毫歐，有助于減少導通損耗，提高能效。器件具備良好的熱穩定性和開關特性，適合用于電源轉換器、電池管理系統、消費類電子產品及各類通用負載控制電路中的功率開關元件。
