SI4413CDY-T1-GE3-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:11A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:13mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款P溝道場效應管（MOSFET）具有30V的漏源擊穿電壓（VDSS），支持最大11A的連續漏極電流（ID），在導通狀態下，其導通電阻（RDON）低至13毫歐，有助于降低功率損耗并提高系統效率。該器件適用于需要高效能、小體積功率開關的場合，例如電源管理模塊、電池供電設備以及各類通用電子控制系統中的電能轉換和調節電路。
