DMNH3010LK3-13-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:50A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:7.5mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有優異的導通性能與開關特性，適用于多種高效能場景。其主要參數包括：漏極電流ID為50A，漏源電壓VDSS為30V，導通電阻RDON低至7.5mΩ，有助于減少功率損耗并提升系統效率。該器件采用成熟工藝制造，具備良好的熱穩定性和可靠性，適用于電源管理、高精度控制電路及負載開關等多種應用場合，是高性能電子設計的理想選擇。
