ISC045N03L5S-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:80A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有優異的電性能表現，漏極電流ID可達80A，漏源電壓VDSS為30V，適用于多種中高功率電源應用場景。其導通電阻RDON僅為4.7mΩ，有效降低導通損耗，提升整體系統效率。器件采用成熟封裝技術，具備良好的散熱性能與穩定性，適用于各類電源轉換、負載開關及高效能電路設計中，提供可靠的開關控制與能量傳輸支持。
