IRFR3710ZTRLPBF-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:60A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:13.5mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有以下主要參數：漏極電流ID為60A，漏源擊穿電壓VDSS為100V，導通電阻RDON為13.5mΩ。該器件適用于需要高效功率控制的電路設計，能夠在較高頻率下穩定工作，適合用于電源轉換、電機驅動以及各類電子設備中的開關應用。其低導通電阻特性有助于減少能量損耗，提高系統整體效率。
