IPD60N10S4L12ATMA1-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:60A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:13.5mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）在電源管理和功率控制領域表現出色。其漏極電流ID為60A，漏源電壓VDSS為100V，導通電阻RDON為13.5mΩ，具備良好的導電能力和熱穩定性，適合中高功率應用場景。該器件適用于開關電源、同步整流電路、電池保護模塊及各類高效能電子設備中的功率轉換與調節單元，為系統提供高效、可靠的解決方案。
