CMUDM8005-HXY_SOT-523_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-523 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:0.66A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:260mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款P溝道場效應管（MOSFET）主要參數為：漏極電流ID為0.66A，漏源擊穿電壓VDSS為20V，導通電阻RDON為260mΩ。該器件適用于低功耗電源管理及信號切換應用，具有良好的開關特性和穩定的電氣性能。適合用于小型電子設備、邏輯控制電路以及電池供電系統中的開關控制，有助于提升電路的響應速度與能效表現。
