BSO200P03S-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:11A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:13mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款P溝道場效應管（MOSFET）具有優異的導通性能與穩定的工作表現。其漏極電流ID為11A，漏源電壓VDSS為30V，確保在中高功率應用中的可靠性。導通電阻RDON低至13mΩ，有效降低導通損耗，提高系統效率。適用于各類電源管理、負載開關、適配器及消費類電子產品中，提供高效的電能控制方案。器件采用標準封裝形式，便于布局與焊接，滿足多樣化電路設計需求。
